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2015年6月30日 (火)

最近のGaNのはなし

最近のGaNのはなしとは

 ずっと高周波(数GHz)で扱ってきた GaN デバイスですが、最近は SiC (シリコンカーバイト)に続いて、パワーエレクトロニクスにも進出してきそうな勢いがあります。
 以下はグリーンエレクトロニクス No18の特集からですが、第1章から「GaNパワーデバイスの現状」として紹介されています。
 20150630_93541_2
 上の表から見ると改めて GaN の電流密度の高さや、電子移動速度が優れているのが判ります。
 SiCもEVなどに使われてきましたが、スピードという点では GaN には及ばないのが良く判ります。 SiCで数MHzの高効率スイッチングだったのが、GaNでは数10MHzのスイッチングも可能になりそうです。トロイダルコアのトランスが載った超小型DC/DCコンバーターが作れそうですね。20150630_93556
 次にはノーマリーオフの構造についてですが、以前紹介したTransphorm のGaNデバイスがカスコード接続で実現していたのですが、記事ではこの方法が優れている利用などが書かれていました。なんとなくソース側の Si-MOSが速度的に問題かなと思っていたのですが、低耐圧のトランジスタで良いのでゲート容量や回復電荷の悪影響は少ないようです。
 この特集は人気があったらしく、Amazomで買おうかと思ったら、なんと中古本が定価より高いのです。
 それで、CQ出版社のリンクを張ってあるのですが、世の中結構進んできたのですね。

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