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2015年4月 4日 (土)

ケースがソースのGaN

ケースがソースのGaNとは

TO-220のタイプのFETですが、高周波用で無い 普通のFETは普通ケースがドレインで、ピンの順番には Gate/Drain/Source となっているのが普通ですね。
それで、MOS-FETを高周波(HF)で使う場合はケースを放熱板に取り付けるのに、絶縁放熱シートを使って止めなければなりません。その点で、放熱的には不利なんですね。
 それで、今回見つけたのは、GaN FETで、TO-220のケースがドレインであったり、ソースであったりする種類があるものです。
20150404_113850
 くわしくは ここ のページにありますが、上の図の様にソースがケースなので、放熱板に直接接地できます。ターンオフが 10nS リバースリカバリが 30nSなので、数 10MHzで使えるのでは無いかと期待しています。
 ノーマリーオフなので現在はインバーター用途で使われるようですが、将来的には 150V品がかなり安く作られるようです。まだサンプル品が数千円だそうですが、ちょっと高周波用途に使ってみたいですね。
*確定申告、期末受注の仕事で忙しく、ブログがおろそかになりました。本年度もよろしく願います。

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