RFパワー段の温度補償

RFパワー段の温度補償とは

RFパワー段で100Wぐらい出すトランジスタには10A近い電流が流れます。トランジスタは環境温度が上がったり､自己発熱でジャンクション温度が上がると、ベースエミッター飽和電圧が下がるので、ボリュームなどで固体バイアスを加えていると、低温の起動時には電流が流れず、発熱してくると電流が増えすぎてオーバーすることがあります。
　そこで、昔からベースのバイアスは右図の様なダイオードを2本直列にしたものに、半固定抵抗で電流を調節して流し、約 1.4Vぐらいを作ったものをトランジスタのエミッターフォロワー出力で電流を増やしてベースに供給する回路が使われています。 1.4Vにトランジスターのベースエミッター電圧がドロップして出力は約 0.7V ぐらいと、ベース供給電圧にちょうど良くなります。半固定で抵抗値を下げればダイオードの電圧が上がりますので、RFトランジスターのコレクタ電流調整も楽に出来ます。
ハード的には
　ここまでは回路的なはなしで、このまま回路を組めばOK と言う訳ではありません。それは温度が基板の各場所で均一に上がる訳ではないからです。一番発熱するRFトランジスターは放熱板に取り付けられますが、それでもトランジスタ本体はヒートシンクよりもかなり熱くなります。そこで、温度を検出するためにRFトランジスタと熱結合を良くしなければならないのです。
　下の図は IC746のファイナル部分の配置図です。
D202とC219がRFトランジスターの上までリード線で伸ばして配置されています。
これは回路図の MA298と0.047µFだと思われます。ダイオードだけで良いのではと思うのですが、このRFトランジスターの周辺は高周波が漏れていますので、コンデンサーで高周波をカットしたり、EP202と記載があるようにフェライトビーズなども使ってカットしています。

このように、回路図で見える部分と、実際に組み立ててみないと分からないノウハウがあるので、先人の経験は貴重ですね。
ちなみに、ICOM製品のサービスマニュアルがこのIcom Manualsというサイトで見つかりました。
実体配線図や、トランジスタの足の配置などから、ブロックダイアグラムまでなかなか興味深くサービスマニュアルを読めました。