オープンカーの楽しみ

オープンカーの楽しみとは

私の乗っているオープンカーはフランス・プジョーの 206ccという（かみさんはこの数字ばかりの型名をちっっとも覚えられないそうだ）1600cc ４人定員の車です。

　この青色のハデな車はもう２世代前の車なのですが、私自身このデザインから新しくなった車がいいとは思えず、３年経ったら乗り換えるつもりの残価設定ローンで買ったのですが、結局３年後に買ってしまいました。
　何が良いかというと、自動で屋根が開くことですね。普段はクーペでいられるので、「幌は暑いよ！オープンカーなんて乗るもんじゃないよ」とロードスター乗りの友人に注意されたので、絶対ハードトップ付きと決めたのですが、モーターでウィンウィンいわせながら開く動作を信号待ち等でやるとけっこう注目を浴びます。
　しかしながら、夏は直射日光が思ったよりきつく、クーラーの効きが悪くなるので、すぐに閉めてしまいますし、冬は気温が 12℃を切るとヒーターと風よけを使っても肩の辺りから冷えて来て、買ったばかりはよくドライブしたのですが、最近では躊躇ぎみです。そして待ちに待った春になると、なんと私の花粉症の影響で屋根を開けてたくても開けられない事情があるのです。サングラスとマスクをした運転はちょっと怪しいドライバーに見えてしまいます。

　そんなわけで、花粉の終わる５月頃から梅雨になる前の６月前の１ヶ月間と、残暑が終わった１０月から寒くなる前の１１月の２ヶ月間の年３ヶ月がオープンシーズンなのですが、１０月も結構秋雨前線で雨が降りますので、結局年間２ヶ月ぐらいでしょうか？
　それでも天気の良い涼しい日中や、暑い夏は夜に屋根を開けて涼しい風を受けて走るのはオートバイに似て格別ですね。スピードを競う車じゃないので見かけほどスピードは出ないし、燃費は悪いし、屋根を閉めているとギシギシいってうるさいし、４人定員だけど２人しか乗れないけれど、やっぱ次の車もオープンカーかなーと「ホンダの次期 軽スポーツ」に期待してるんだけど...

TO-92 のトランジスタを考える

TO-92 のトランジスタとは

TO-92とはトランジスタのパッケージの名前です。
　右図のように 2SC1815を代表とする３本足のバイポーラートランジスタです。
　このよく使われる 2SC1815もついに廃止品種となり、在庫のみとなってしまいました。古くは 2SC372 などという定番の石から 2SC945を経てつかい回して来た石ですが、なんとか代替品は無いかと探しましたが、残念ながら日本のメーカーではこのパッケージでは作っていないようです。
　どうやら見つけたのが ON Semiconductorというメーカーで 、最近 SANYO の半導体部門を買収したようで、オーディオ用SANYOトランジスタも販売しています。


　この表は、2SC1815の特性とこの会社の TO-92のトランジスタからピックアップしたものです。表中の MPSA55,BC640 は PNP なので 2SA1015 とほぼ互換です。
　しかしながら注意しなければいけない点があります。それは大部分のリード配列が 2SC1815 のように真ん中がコレクタの BCE 配列でなく、真ん中が ベース配列の CBE 配列なのです。これは海外のトランジスタに多くあって、昔海外で生産する時に「互換のトランジスタだから大丈夫！」と言われて使って大失敗。あちらでは真ん中がベースの TO-92 は当たり前だそうですね。

　注意して使いましょう。しかしながらだんだん表面実装部品に変わっていくのは必然なようです。
　トラ技の2011年１月号にあったように定番デバイスは 2SC1815シリーズだったら、
Renesas    2SC1623   /   2SA812A

Rohm        2SC2412K /  2SA1037K

あたりが代替品なようです。さすが定番！聞き覚えのある品番ですね。

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トランジスタ技術 (Transistor Gijutsu) 2011年 01月号 [雑誌]

MOS FET Gate Chargeを考える

MOS FET Gate Chargeとは

MOS FET のゲート制御スピードに関係する特性として Ciss がよく使われますが、最近ではこれらの容量値にかえて、Gate Charge ( nC )という値が使われます。
この中には Gate-Source Charge [Qgs]とGate-Drain Charge[Qgd] と合わせた Total Gate Charge [Qg]が記載されています。
　小型で P-chとN-ch が入った複合FET Si6544DQ が秋月電子で売られていたので、高速スイッチングで使えないかと動かしてみたのですが、実はこの N-chFET は Total Gate Charge が 17.5nC ( typ) も有るんですね。ちょっとした大電力パワーFET並みです。これをドライブしてみると、ゲート波形は次のようになります。
　これは 1MHz 5Vの矩形波でドライブした波形で、下側の赤い波形がゲート電圧、黄色がドレイン波形で1目盛り5Vです。まず、赤色の立ち上がりを見ると1目盛り 200nS なので、80nSぐらいで立ち上がります。これは Gate-Source Charge が 4nC と小さいので早そうですが、ドレイン電圧が下がる間ゲートドレイン間にチャージする必要があるので、ゲート電圧は4Vぐらいでとどまっています。
　そしてドレインが完全に ONになるとゲート電圧はすこしづつゲートドレイン間にチャージしながら電圧が上昇します。
　ゲート電圧を OFFにしてもゲートのチャージが残っているためすぐにOFFになりません。だいたい 100nSぐらい遅れてドレイン電圧が上昇します。ゲート電圧を見てこのようにゲートに電荷がチャージしていく過程が解ります。
　次にゲートチャージが 1nC と小さい FET BSS138はどうでしょうか？
　同様の環境でドライブしてみると、ゲート波形はオシロのプローブ長の関係でちょっとリンギングがありますがシャキッとしてます。
　ドレインも約 20nS 程度の遅れで下降し始めます。しかしながらよく見ると何かドレインが High になるカーブが緩やかですね。調べてみると規格上Tuen-off time が 150nS もあります。確かにドレインが立ち上がるにに 100nS ぐらいあり、ドレイン電流が少ないせいか、ドレインの立ち上がりがなまっています。

　このようにゲートのチャージが少なくてもターンON/ターンOFF時間が遅いデバイスもありますので、一概にゲートチャージが少ないからと言って高速とは限りません。
ソフト的には

実験の目的は 27MHzのスイッチング動作でしたが、上記特性からもちょっとこれらのデバイスでは、無理なようです。現在他のデバイスを手配中ですので、高速で使える便利な FET が見つかったらまたお知らせしますね。

もう一度行くならパリかな？のはなし

もう一度行くならパリかな？とは

フランスは大分昔、デジタルテレビのセットトップボックス開発で、当時セットトップOSには必須だ！と「OpenTV」なるTVデーター放送とJAVAみたいなやつを結合しようとしたミドルウェアの導入が必要だと、OEM先の韓国メーカーの営業の人と１泊で訪れたパリがトランジットだけの１度目に続いた２度目でした。夕方着いてホテルに１泊して昼間どこかのホテルでの打ち合わせで、またすぐ夕方の便でイギリスの事務所に帰る...なんてドタバタだったので記憶ではエッフェル塔も見れなかったし、シャンゼリゼ通りも通らなかった....フランスっていったいどんななんだ...と思い出しても忙しくて悲しい思いでばかり...
　それで、家族旅行でパリに行くならじっくりパリだけ５日間！と決めて、ルーブルを２日間、オルセーを１日、ちょっと足を伸ばしてヴェルサイユ宮殿に１日、ショッピングに１日と決めて同じホテルに６泊したのが 、サッカーのワールドカップ終わった直後の1999年でした。

　ルーブルは２日でも見切れなかったですが、主要な作品は見ることが出来ましたが、モナリザはなんかガラス(アクリル？）の向こうで近寄れなかったのが残念。ミロのビーナスは間近で見ることが出来るのに...対照的でした。
　しかしながらルーブルはルネッサンス以前の宗教画が多く、自分の感じではオルセー美術館の方が館内も広くなくて回りやすいし、印象派が多いので見て面白いと感じました。

　娘も当時中学生で英語は習いたてで、しかもフランス語ははじめてだったけど楽しんで「ウノ・カルテ・シルビプレー」などと切符を買ったりするのに結構話そうとしてましたね。後に大学生になってバイトで貯めたお金で、またパリだけ５日間ルーブル・オルセー・ミラノ座と自力で行ったのは、その経験で自信があったからかなぁ。
　今度行くなら南フランスかなぁ...とも思うのですが、のんびりもう一回オルセーを巡りたいな〜と思うのは、私もその時の思い出が強いのでしょうかね。
　家族はずっと時差ボケで、夕方になると眠くて私が「どこかに食べに行こうよ〜」と言っても、全くレストランに行く気力も無いようなので、私が近所の果物屋さんやパン屋さんをかけずり回って買い出ししたのを覚えています。一番の思いではやっぱりエッフェル塔の展望台にあるレストラン「ジュールベルヌ」で運良くランチを食事出来たことだなぁ。

ATT Calc ver1.40 リリース

ATT Calc ver1.40 をリリースしました。

　iOSのバージョンが6になった時に起動出来るかどうかぐらいはチェックしておいたのですが、先日 50W 時の ピーク電圧は...と思って立ち上げてみると、電圧表示が全然反応しないのが判りました。
　バージョン 1.3の祭に追加した機能ですが、自分でもあまり使わなかったので、見落としていました。
　特に ATT Calc は iPodの古いバージョンでも使えるようにと iOS 3.1でも動いていたのですが、今回 iOS6になり開発環境でも iOS3.1をサポート出来なくなり、思い切ってバージョンアップすることにしました。
　この dBm <-->W 変換機能はけっこう好評で、最初は dBm ->W しか機能がなかったのですが、逆の W-> dBm も要望で追加しました。Wの単位も 最初は mWぐらいしか無かったのですが、µW,kWも追加してきました。
　この機能では実現出来ていないですが、 ATT 計算の dB->R  , R->dB の計算は通常 50Ωのインピーダンス設定ですが、タイトル欄の ATT Calculator Z= 50 の "ATT" の文字の部分をタップしますと 75Ω に変更することが出来ます。あまり使わないですが、アンテナ関連やビデオなど 75Ωで使っている人にも使えるような機能です。
アッテネーターの利用法についてはここ。

プリント基板を作るはなし

プリント基板を作るとは

　プリント基板はCADでデーターを作って、基板屋さんに渡す...という方法がポピュラーですが、ちょっとした実験や１台限りの基板ではどうしても手作りということになります。
　昔はエポキシ基板にマジックでパターンを書いて塩化第２鉄の液でエッチングして 50MHzAM/FMトランシーバーを作ったこともありますが、今回高周波の実験するのに簡単な方法を紹介します。特にパワーアンプ等、ヒートシンクにデバイスを取り付けて基板もヒートシンクにベタ付けするときは大変簡単に作れて便利です。
１）まず基板に作成したいパターンを図面から転写します。実寸にプリントした図面を基板に張り付け、カッターナイフ等で傷をつけるか、カーボン紙等があればボールペン等でなぞって転写します。
２）移したパターンにそってカッターナイフで、銅箔の厚さまで切り取ります。銅箔が不要な部分は切りすぎても問題ありませんが、残す部分までカッターの刃がいかないよう注意して切り込みます。
３）30W以上の半田ごてで（出来れば温度調節機能のあるもの）に細いこて先をつけて、銅箔をはがす部分を上からこするようにして暖めます。すると銅箔と基板との接着剤が熱で弱くなり、銅箔が反るようにしてはがれます。
　ピンセットでひっぱたり、カッターナイフで切り込みを追加する等して、銅箔をすべてはがします。
４）ネジ止めする穴や、挿入部品を入れる穴をあけた後、ステンレスウール等で基板を磨きます。こすることでカッターナイフで銅箔にバリが出来たりした部分を平らにして、半田時にショートしないようにします。
ソフト的には
　この方法でパターンを作る場合ちょっとしたコツがあります。それはパターンに曲線をあまり使わず、直線や、アールでなく45°角カットなどのパターンを設計することです。さらに高周波で高い周波数の場合は、テフロン両面基板を 50Ωなどのパターン幅になるようにカットしてこの基板上に貼付けます。貼付けるには両側を半田メッキしてペーストをつけて半田を横から吸わせるように接着面に流し込みます。さらに数GHZ以上の高い周波数ではデバイスをつける部分に空けた穴の端面に銅箔テープ等を接着してインピーダンスを下げ、さらにスルーホールになる放熱板に基板を取り付けるGNDビスをデバイス周りや、入出力付近に多数設けます。