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    詳しい説明はここ
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2010年12月20日 (月)

ICOM IC721 RF & MIX 回路追加

ICOM が 1987年に発売した普及価格帯ゼネラルカバレッジIC721の受信高周波部をSCHEMATICS に追加しました。
 高周波増腹部はダイオードスイッチでアンプとスルーの2つに切り替えることが出来、混変調などの対策に有利と思えます。またミキサーに繋がるラインにはローパスフィルタが形成され、主としてローカル信号の漏れやFM・テレビ信号の影響を除去しているものと思われます。デバイスは2SK125と比較的安価な普通の接合型FETを使っていますが、高周波増幅断では2個のFETを並列にしてノイズフィギヤの向上を狙っています 高IP化と広帯域化をねらっています。*コメントで指摘頂き、修正しました。

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RF」カテゴリの記事

コメント

毎日の更新ご苦労様です。
毎回興味深く拝見させて頂いております。

2SK125パラのRF増幅器ですが、マッチングしていると思われますので、ノイズフィギヤ向上よりも最大出力をUpさせるためと思われますが如何でしょうか?

MCカートリッジ用のヘッドアンプですと、パラにするとノイズレベルが下がりますが、、、


Diode SWですが、電流に依りノイズを出すのではないかと気になります。
RF Ampをバイパスラインに100pFが入っていますが??

単純に並列なので、ドレイン電流を増やす(逆に1本あたりの電流を減らしてNFのよい電流値にする?)効果とソース接地なので入力抵抗を下げる働きでノイズフィギャが下がるのでは..と思いました。
ドレイン電流が増えればご指摘のように、ドライブ能力が増えますので出力が上がるかと思います。しかし最大出力を上げるならば、プッシュプル構成にすればもっと効果が出るのでは思い...回路の簡易化をねらったか、ノイズ低減の効果をねらったのかと推測しました。
*その後探したら2SK125の記事がありました。
http://d.hatena.ne.jp/devices/20070508/p1
あえてゲインの低い構成で、高IPと広帯域化をねらったようです。
 DiodeSWと100pFは記載回路図そのままです。ダイオードは順電流をある程度流すと高周波的には抵抗がほとんどなくなる高周波スイッチングタイプではないかと思います。100pFは30MHz以下では50Ω以上のインピーダンスになりますので、何か高周波域でノイズ消しかなとも思えます。

早速のお返事ありがとうございます。

実は、、、

「RF回路は電力マッチングを取っているのでパラにすると、各々のFETには半分の電力しか行かなくなり、パラにすることに依りNFが3dB下がっても C/Nに変化ない」

、、、と先輩に言われ気が付きました。

なかなかスルドイ先輩ですね。検索した記事中で、「HFはNFが良くても電波中の雑音が多いので、NFより放送局・モバイル局などの強入力妨害に強いほうが有利」とありました。確かに宇宙通信じゃないので、そこまでNFは要求されないよなと感じました。昔のSSBのCB機ではミキサはFETのプッシュプルで高IP化しましたが、RFAMPはAGCをかけるためのデュアルゲートFETを使っていました。
 何かありましたらまたコメント頂けると助かります。

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